为了使运用可控硅（SCR）的电途寻常运转，触发电途应正在确实的功夫供应触发信号，以确保正在须要时开启。
触发请求普通以直流电压和电流的表面供应，因为脉冲信号普通用于触发可控硅SCR，于是还须要思量触发脉冲的继续功夫。
幅度恰好等于DC请求的触发脉冲务必拥有足够长的脉冲宽度，以确保正在可控硅SCR的全盘导通功夫内供应栅极信号。
跟着栅极信号幅度的添加，可控硅的开启功夫削减，栅极脉冲的宽度可以会减幼。看待高感性负载，脉冲宽度务必足够长，以确保阳极电流上升到大于可控硅SCR的锁存电流的值。
开合S闭合以掀开可控硅SCR。闭合开合将直流电流施加到可控硅SCR的栅极，该栅极由源极(V_)正向偏置。一朝可控硅SCR 导通，就可能掀开开合以移除栅极信号。
施加恒定的直流栅极信号是弗成取的，由于栅极功率耗散会向来存正在。另表，正在调换运用中，直流栅极信号无须于触发可控硅SCR，由于正在负半周期时刻栅极处存正在正信号会添加反朝阳极电流并可以损坏可控硅。
为了下降栅极功率耗散，可控硅触发电途发作单个脉冲或一串脉冲，而不是陆续的直流栅极信号，这可能切确操纵可控硅SCR的触发点，另表，很容易正在可控硅SCR和栅极触发电途之间供应电气分开。
假若多个可控硅SCR从统一个源选通，则通过脉冲变压器或光耦合器举行电气分开很主要，分开还可能削减不须要的信号，比方瞬态噪声信号，这些信号可以会偶然中触发敏锐的SCR。
上图显示了运用单结晶体管(UJT)振荡器发作脉冲的最常见技巧，该电途分表适合触发可控硅SCR。
它正在B处供应一系列窄脉冲，当电容充电到UT的峰值电压(V_)时，UJT开启。这会正在发射极–基极1结上安排一个低电阻，而且发射极电流流过脉冲变压器的低级，将栅极信号施加到可控硅SCR，可能通过添加C的值来添加输出信号的脉冲宽度。
该电途的一个坚苦是，因为脉冲宽度窄，正在去除栅极信号之前可以无法得到锁存电流。然而一个RC缓冲电途可能用来毁灭这个题目。
上图所示电途的操作与此犹如，通过运用R两头的输出来驱动与变压器低级串联的晶体管Q，可能革新脉冲的宽度和上升功夫。
当来自UJT的脉冲施加到Q的基极时，晶体管饱和，而且电源电压V_被施加正在低级两头，这会正在脉冲变压器的次级感想出一个电压脉冲，该电压脉冲被施加到可控硅SCR。当脉冲到IQ的基极被移除时，它闭塞。
由变压器中的塌陷磁场惹起的电流正在低级绕组上感想出一个相反极性的电压，二极管D正在此时刻为电流供应途途。
运用DIAC的犹如电途（上图）正在由RC功夫常数确定的一段功夫内为电容迟钝充电。正在电容充电到等于DIAC的击穿电压的电压后，它会将DIAC切换到导通形态。
这种支配须要相对较低的功率来从直流电源为电容充电，但它会正在短功夫内供应大功率以竣工牢靠的可控硅SCR开启，波形如下图所示。
正在调换运用中操纵可控硅SCR的最常用技巧是从统一调换源得到触发信号，并正在正半周期时刻操纵其对可控硅SCR的运用点。
一个纯洁的电阻触发电途如下图所示。正在正半周期内，可控硅处于正向阻断形态。正在某个V值下，栅极电流高到足以开启可控硅SCR。
C两头的电压滞后于电源电压的量取决于(R+R)和C，添加R_会添加电压V_抵达有足够栅极电流开启SCR的程度所需的功夫。
串联或并联相联的可控硅SCR应从统一源并正在同有时期触发，这可能通过运用相对较高的栅极触发电压来竣工。该电压可能更疾地使可控硅SCR疲困，从而导致相似的导通功夫。脉冲变压器用于确保同时触发全体栅极。
下图显示了拥有适应绝缘的多个次级绕组的栅极触发脉冲变压器。变压器还供应了电气分开，于是触起源不会负载过重，从而抗御组中的其他可控硅SCR触发。
下面的电途显示了可控硅SCR 的电阻触发，它用于从输入调换电源驱动负载。电阻和二极管组合电途充任栅极操纵电途，以正在所需条目下切换 SCR。
当施加正电压时，可控硅SCR 正向偏置，直到其栅极电流大于 可控硅SCR 的最幼栅极电流时才会导通。
当通过变动电阻 R2 施加栅极电流以使栅极电流应大于栅极电流的最幼值时，可控硅SCR 导通，于是负载电流着手流过可控硅SCR。
二极管正在输入的负半周时刻庇护栅极驱动电途免受反向栅极电压的影响。电阻 R1 局限流过栅异常子的电流，其值使得栅极电流不应跨越最大栅极电流。
正在这种环境下，触发的角度仅限于 90 度。由于施加的电压正在 90 度时最大，因而栅极电流务必抵达介于 0 到 90 度之间的最幼栅极电流值。
RC 触发电途可能造胜电阻触发电途的局限，该电途供应 0 到 180 度的触发角操纵。通过变动栅极电流的相位和幅度，运用该电途可能得到较大的触发角转移。
下图显示了 RC 触发电途，该电途由两个二极管构成，此中一个 RC 搜集相联以掀开 SCR。
正在输入信号的负半周时刻，电容通过二极管 D2 与下极板正极一块充电，直至抵达最大电源电压 Vmax。该电压正在电容器两头依旧正在-Vmax，直到电源电压抵达过零。
正在输入的正半周期内，可控硅SCR 变为正向偏置，电容着手通过可变电阻充电至可控硅 SCR 的触发电压值。
当电容充电电压等于栅极触发电压时，可控硅导通，电容依旧幼电压。于是，纵然正在输入波形通过 90 度之后，电容电压也有帮于触发 可控硅SCR。
正在这种环境下，二极管 D1 正在通过二极管 D2 的输入的负半周期时刻抗御栅极和阴极之间的负电压。
这是触发 SCR 的最常用技巧，由于运用 R 和 RC 触发技巧正在栅极处的延迟脉冲会导致栅极处更多的功率耗散，于是运用 UJT（Uni Junction Transistor）动作触发器件可能局限功率损耗，由于它会发作一串脉冲。
RC 搜集相联到组成依时电途的 UJT 的发射异常子。电容是固定的，而电阻是可变的，于是电容的充电速度取决于可变电阻，这意味着操纵 RC 功夫常数。
当施加电压时，电容着手通过可变电阻充电。通过变动电容两头的电阻值电压取得变动。一朝电容电压等于 UJT 的峰值，它就着手导通并于是发作一个脉冲输出，直到电容两头的电压等于 UJT 的谷电压 Vv。该进程反复并正在根本终端 1 处发作一系列脉冲。
